Todo parece ir como una seda en TSMC, el gigante de los semiconductores que marca la pauta y que esta semana ha hablado de sus progresos en la fabricación de chips de 3 nm, considerados el siguiente "paso evolutivo" en un segmento que hoy está dominado por SoCs y memorias fabricadas con litografías de 7 y 5 nm.
El procesos de fabricación de 3 nm ha superado las expectativas de TSMC de tal forma que su producción se adelantará y comenzará a producirse masivamente en 2022. Aún hay más, de hecho, y este fabricante ya ha indicado que los chips de 2 nm y de 1 nm están ya en el horizonte.
Liu Deyin, co-CEO de TSMC, explicaba en la ISSCC 2021 (International Solid-State Circuits Conference 2021) cómo todo parece ir a la perfección en su desarrollo de tecnologías fotolitográficas de 3 nm.
Ese avance es tan destacable que Deyin indicó cómo se adelantará la producción preliminar de estos chips en la segunda mitad de 2021, y su producción masiva llegará en 2022: será entonces cuando comencemos a ver los primeros SoC que aprovechen dicha litografía.
Las ventajas, explicaban en TSMC, son claras: estos chips permitirán incrementar en un 70% la densidad de transistores frente a la litografía de 5 nm, y además de lograr un 11% más de rendimiento también reducirán el consumo hasta un 27%.
La primera generación de chips de TSMC de 3 nm hará uso del tradicional proceso FinFET, mientras que en Samsung arriesgarán más y utilizarán un proceso GAA (Gate All Around), teóricamente más preparado para que se pueda trabajar en futuras reducciones de la escala fotolitográfica.
En TSMC han logrado avances aparentemente notables en las máquinas EUV (Extreme Ultra Violet) utilizadas para fabricar estos chips, y gracias a ello afirman que este proceso podrá utilizarse para los futuros chips de 1 nm.
No está aún del todo claro cuándo podrán llegar esa espectacular tecnología, pero se espera que TSMC logre fabricar masivamente chips de 2 nm en 2023 o 2024 como tarde, lo que a ese ritmo situaría los chips de 1 nm en 2026.
Vía | MyDrivers
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